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2018年中國半導體行業市場現狀分析:大基金助力行業發展[圖]

2019年11月27日 14:14:34字號:T|T

    半導體集成電路是現代信息社會的基石,廣泛應用在手機、電腦、汽車等領域。半導體行業于上個世紀五十年代起源于美國,屬于技術密集、資金密集的行業。伴隨著技術和經濟的發展,半導體行業經歷了三次大規模的產業鏈轉移。第一次從美國轉移到了日本,發生在上世紀八十年代;第二次發生在上世紀九十年代,從日本轉移到韓國、中國臺灣和新加坡等地;第三次發生在二十一世紀以來,我國正在承接第三次大規模的半導體技術轉移。

    全球半導體市場規模近年來增速平穩,2012-2018年復合增速8.23%。其中,中國大陸集成電路銷售規模從2158億元迅速增長到2018年的6531億元,復合增速為20.27%,遠超全球其他地區,全球半導體產業加速向大陸轉移。集成電路一般分為設計、制造和封測三個子行業,復合增速分別為26.27%、23.96%和13.33%。在集成電路制造和封測行業中,均需要大量的半導體新材料支持。

    全球半導體市場及增速

數據來源:公共資料整理

    相關報告:智研咨詢發布的《2020-2026年中國半導體行業發展現狀調查及投資發展潛力報告

    國內半導體行業發展迅速

數據來源:公共資料整理

    2019年第一季度全球半導體市場同比下降了5.5%。受到全球半導體市場下滑影響,中國集成電路產業2019年增速大幅下降,根據數據,2019年第一季度中國集成電路產業銷售額1274億元,同比增長10.5%,增速同比下降了10.2個百分點,環比下降了10.3個百分點。

    2012-2019年中國集成電路行業銷售規模(億元,%)

數據來源:公共資料整理

    從具體的生產流程來看,集成電路設計業同比增長16.3%,銷售額為458.8億元,占比36.01%;集成電路制造同比增長10.2%,銷售額為392.2億元,占比30.78%;封測業增速下降幅度最大,增速環比下了11個百分點,同比增長5.1%,銷售額423億元,占比33.20%。

    2019年第一季度中國集成電路行業銷售額分布占比

數據來源:公共資料整理

    2011-2018年,我國集成電路進出口數量整體提高。2018年我國集成電路進口4176億塊,出口2171億塊,差額超過2000億塊。2019年第一季度,受全球半導體需求與莫阿姨環境的影響,我國半導體進口量為864.6億塊,同比下降10.70%,出口量為404.9億塊,同比提高9.50%。

    2011-2019年第一季度中國集成電路進出口數量

數據來源:公共資料整理

    半導體新材料是戰略新興產業,工信部、發改委等多次發布相關政策推動半導體新材料行業的發展。由于集成電路等下游行業技術難度大,對半導體新材料的性能要求較高,但對于價格相對不敏感,國內廠商在初步發展階段更傾向于使用進口的原料,半導體新材料國產替代需要國家政策的強力推動。

    國家相繼出臺政策助力半導體新材料發展

時間
項目
部門
相關政策內容
2014.06
國家集成電路產業發展推薦綱要
工業和信息化部
加強集成電路裝備、材料與工藝結合,研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備,開發光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料,加強集成電路制造企業和裝備、材料企業的協作,加快產業化進程,增強產業配套能力
2015.03
國家重點支持的高技術領域(2015)
科技部、財政部、國稅總局
四、新材料技術(五)、精細化學品/1、電子化學品:集成電路和分立器件用化學品;印刷線路板生產和組裝用化學品;顯示器件用化學品。包括高分辨率光刻膠及配套化學品;超凈高純試劑及特種(電子)氣體;先進的封裝材料;彩色液晶顯示器用化學品
2015.10
《中國制造2025》重點領域技術創新綠皮書
國家制造強國建設戰略咨詢委員會
十大重點領域之一、新一代信息技術產業/1.1集成電路及專用設備1.1.3發展重點/2集成電路制造/(2)光刻技術:兩次曝光、多次曝光EUV(極紫外光刻)、電子東曝光、193nm光刻膠、EU光刻膠
2017.04
《“十三五”先進制造技術領域科技創新專項規劃》
科技部
面向45-28-14納米集成電路工藝,重點研發300毫米硅片,將濺射靶材列為重點產品,為各類濕電子化學品提供指標參考,將超高純電子氣體列為重點研發材料,將拋光材料、將深紫外光刻膠列為關鍵材料產品

 

半導體制造和封測過程中用到的新材料

數據來源:公共資料整理

    2018年全球半導體材料市場產值為519.4億美元,同比增長10.68%。其中晶圓制造材料和封裝材料分別為322億美元和197.4億美元,同比+15.83%和+3.30%。2018年,在市場產值為322億美金的半導體制造材料中,大硅片、特種氣體、光掩模、CMP材料、光刻膠、光刻膠配套、濕化學品、靶材分別占比33%、14%、13%、7%、6%、7%、4%、3%。分地區來看,目前大陸半導體材料市場規模83億美元,全球占比16%,僅次于中國臺灣和韓國,為全球第三大半導體材料區域。

    全球各地區半導體材料市場占比

數據來源:公共資料整理

    半導體制造材料占比

數據來源:公共資料整理

    中國半導體制造行業陸續突破。2019年是我國半導體制造行業從量變到質變的一年,在全球三大主流半導體制造端:LOGIC、DRAM和3DNAND,我國實現了兩大突破。2019年9月2日,長江存儲64層3DNAND閃存量產,是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品,有望改變全球NANDFlash格局。2019年9月20日,長鑫存儲DRAM內存芯片自主制造項目宣布投產,成為我國第一顆自主研發的19nmDRAM芯片,與國際主流DRAM產品同步,一期設計產能每月12萬片晶圓。投產的8GbDDR4通過了多個國內外大客戶的驗證,預計今年底正式交付,另有一款供移動終端使用的低功耗產品LPDDR4X也即將投產。制造企業的突破和市場的打開,為上游材料國產化提供必要條件。

    國內半導體制造行業陸續突破

時間
企業
芯片種類
具體
2019.09
長江存儲
3DNAND
64層NAND閃存量產,是全球首款基于Tacking架構設計并實現量產的閃存產品
2019.09
合肥長鑫
DRAM
自主研發的19nmDRAM芯片量產,與國際主流DRAM產品同步,一期設計產能12萬片/月
-
中芯國際
LOGIC
14nm進展順利,量產在即

數據來源:公共資料整理

    國家集成電路產業投資基金(大基金)是為促進集成電路產業發展而設立,由國開金融、中國煙草、亦莊國投等企業發起。基金重點投資集成電路芯片制造業,兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業。2014年10月,大基金一期成立,規模合計1387億元。截至2018年年底,大基金一期投資基本完畢,根據公開信息投資總金額約1047億。在各領域投資的規模和所占比例大概為:IC設計(205.90億元,占比19.7%);集成電路制造(500.14億元,占比47.8%);封測業(約115.52億元,占比為11.0%);半導體材料(約14.15億元,占比為1.4%);半導體設備(12.98億元,占比為1.2%)、產業生態建設(約198.58億元,占比為18.9%)。從投資規模比例上來看,半導體設備及材料等產業鏈上游環節投入占比較小,分別約占總投資規模的1.4%及1.2%。隨著國家對于整體核心科技自主可控的要求,國內半導體產業鏈長期需要產業升級,預計將是產業資金重點投入的方向。2019年10月22日,國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司(簡稱“國家大基金二期”)注冊成立,注冊資本為2041.5億元,包括財政部、國家金融等共27位股東。在大基金一期主要完成產業布局之后,二期將進一步打造集成電路產業鏈供應體系,每個環節要與用戶有機地結合起來,尤其是國產裝備、材料等上游產業鏈環節。

    大基金一期投資方向

數據來源:公共資料整理

大基金一期投資材料企業概覽

公司
出資金額(億)
主營
上海硅產業集團
7
大硅片
雅克科技
5.5
特種氣體
鑫華半導體
5
大硅片
中巨芯科技
3.9
濕化學品
世紀金光半導體
0.3
半導體粉料
德邦科技
0.2
高分子界面材料
安集科技
0.1
CMP拋光材料

數據來源:公共資料整理

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